「高耐圧・低損失」を特長とし、600V から1,200V の「中電力」領域におけるパワーエレクトロニクス技術の中心的な存在であり、パワー半導体デバイスとして最も汎用性が高い「IGBT」について、バイポーラトランジスタとMOSFET のメリットの融合を軸に、その基礎知識を学びます。
	特に、前提知識は問わないが、電機・電子工学概論程度の基礎知識があることが望ましい。
	12分
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