職種

• 研究員・ポスドク相当

研究分野

• ものづくり技術 - 指定なし
• ナノテク・材料 - 指定なし

給与

応募資格

• 説明

  ・IGBT/MOSFET、パワーICなどパワーデバイスの研究開発経験
  ・半導体デバイスシミュレーション（TCAD）の実務経験
  ・半導体プロセス、デバイス評価・解析の実務経験

雇用形態

• 常勤

契約期間

• 任期なし - テニュアトラック以外

勤務地

• 愛知県

待遇

• 待遇ー補足説明

  【給与】
  経験・能力を考慮し、当社規定により決定します。
  基準内手当、時間外勤務手当等、就業規則に準じて支給
  給与改定　年１回
  賞与　年2回
  
  【勤務時間】
  フレックスタイム制　
  標準勤務時間　8:30～17:30（12：00～13：00休憩）
  
  
  【休日・休暇】年間121日
  ＜長久手キャンパス＞
  　土・日曜日、ゴールデンウィーク、夏季休暇、年末・年始休暇、年次有給休暇
  
  
  
  【保険】各種社会保険加入、各種団体保険加入
  

応募上の配慮

• 面接実施に関しての配慮（海外など遠方にお住まいの方、他）

  オンライン面接を実施しています。（最終選考は原則来所いただきます）

• 障害のある方

  職場で必要な配慮の確認のため、可能であれば障害者手帳の写しをご提出ください。

採用人数

• 求人内容補足説明

  ＜先端パワーデバイスに関する研究＞
  カーボンニュートラルなど持続可能なモビリティ社会の実現に繋がるワイドバンドギャップ半導体(SiC,GaN)などによるパワーデバイスの高性能化・高信頼化を目指した研究開発に取り組む。
  設計(シミュレーション)、試作・評価などを通じた技術革新により早期社会実装・普及に貢献する。
  
  
  ■能力要件
  ・IGBT/MOSFET、パワーICなどパワーデバイスの研究開発経験
  ・半導体デバイスシミュレーション（TCAD）の実務経験
  ・半導体プロセス、デバイス評価・解析の実務経験
  
  ■求める人物像
  ・チームを目標に向けてリーディングできる方
  ・未知の課題に対して粘り強く挑戦できる方
  
  ■勤務地
  愛知県長久手市横道４１番地の1（本社）

募集期間

• 2023年01月28日~2023年09月30日 必着

  採用が決まり次第終了

応募方法

• ※募集期間外です。

公募のURL

選考・結果通知

• 結果通知方法

  当社ホームページよりご応募ください。
  https://recruit.tytlabs.co.jp/recruit/02.html
  書類選考の上、結果をご連絡します。
  応募はシステムからのみとなっており、応募データにつきましてはご返却できません。応募の秘密は厳守いたします。
  お預かりした個人情報は、採用選考および採用後の人事管理の目的のみに使用し、本件目的以外への使用または第三者への提供を行うことはありません。
  
  応募書類：
  履歴書（写真添付）、職務歴（研究実績）、論文リスト、主要論文別刷等
  
  選考内容：
  書類審査、適性検査、面接
  
  お問合せ先：
  e-mail：saiyo@mosk.tytlabs.co.jp
  担当者：株式会社豊田中央研究所　人材開発室
  
  

連絡先

備考